В статье описана концепция создания новой аппаратной базы нейроморфных вычислений с архитектурой, отличной от фон-Неймановской, с использованием мемристорных устройств в качестве искусственных синапсов. Рассмотрены примеры таких мемристорных устройств 1 го и 2-го порядков на основе наноразмерных диэлектрических и сегнетоэлектрических слоев HfO2 в структурах TiN/HfO2/TiN и TiN/Hf0.5Zr0.5O2/p+-Si, соответственно, в которых
продемонстрированы различные виды синаптической функциональности, в том числе, краткосрочная и долгосрочная потенциация/депрессия (STP/STD, LTP/LTD), пластичность, зависящая от интервала и частоты спайков (STDP, SRDP), усиление парными импульсами (PPF).